YJB70G10B دیتاشیت

YANGJIE YJB70G10B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YANGJIE YJB70G10B
حجم فایل 78.226 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت YANGJIE YJB70G10B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJB70G10B
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 32nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.27nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 36pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.2mΩ@10V,20A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه